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BD235: Transistor NPN Epitaxial Silicon 60V 2A
Nombre: TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICONReferencia: BD235
- Polaridad de transistor: NPN
- Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
- Tensión colector-base (Vcb): 60 V
- Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
- Tensión emisor-base (Veb): 5 V
- Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
- Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Marca: ASIEmpaque: TO-126Precio por: Unidad
$2.150
27 disponibles
TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON. Marca: ASI. Referencia: BD235
El BD235 es un tipo de transistor de potencia NPN diseñado para aplicaciones de media potencia tanto lineales como de conmutación. Su estructura interna se basa en una tecnología planar con un diseño de «isla de base», lo que le confiere un alto rendimiento y una baja tensión de saturación.
| Peso | 0.019 kg |
|---|---|
| Cdigo Siigo | 0090005000144 |
| Referencia | BD235 |
| Marca | ASI |
| Empaque | TO-126 |
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