Name: BD137: Transistor NPN Epitaxial Silicon 60V 1A - Vicartechz
Brand: Advanced Semiconductor
SKU: 9-5-145
Price: 2200 COP
Availability: InStock

TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON. Marca: ASI. Referencia: BD137

BD137: Transistor NPN Epitaxial Silicon 60V 1A

Brand: Advanced Semiconductor Categorías: Semiconductores, Transistores y reguladores SKU: 9-5-145 Etiquetas: 0090005000145, 9-5-145, ASI, BD137, datasheet, pinout, SEMICONDUCTORES, Through Hole, TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON, TRANSISTORES Y REGULADORES

Nombre: TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICONReferencia: BD137

Polaridad del transistor: NPN
Configuración: Single
Corriente CC máxima de colector: 1A
Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 60V
Tensión VCBO colector-base: 60V
Voltaje VEBO emisor-base: 5V
Voltaje de saturación colector-emisor: 0.5V
Dp – Disipación de potencia: 12W
Producto para ganar Ancho de banda fT: 50 MHz
Temperatura de trabajo: desde 0°C hasta 150°C

Marca: ASIEmpaque: TO-126Precio por: Unidad

$2.200

32 disponibles

Descripción

TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON ASI Referencia: BD137.
El BD137 es un transistor NPN de propósito general, encapsulado en TO-126, con una tensión de ruptura colector-base (VCEO) de 60V y una corriente continua máxima del colector (IC) de 1A. Se caracteriza por su alta ganancia de corriente y su capacidad para operar a altas frecuencias, lo que lo hace ideal para aplicaciones de conmutación y amplificación.

Especificaciones