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BD137: Transistor NPN Epitaxial Silicon 60V 1A
Nombre: TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICONReferencia: BD137
- Polaridad del transistor: NPN
- Configuración: Single
- Corriente CC máxima de colector: 1A
- Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 60V
- Tensión VCBO colector-base: 60V
- Voltaje VEBO emisor-base: 5V
- Voltaje de saturación colector-emisor: 0.5V
- Dp – Disipación de potencia: 12W
- Producto para ganar Ancho de banda fT: 50 MHz
- Temperatura de trabajo: desde 0°C hasta 150°C
Marca: ASIEmpaque: TO-126Precio por: Unidad
$2.200
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TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON ASI Referencia: BD137.
El BD137 es un transistor NPN de propósito general, encapsulado en TO-126, con una tensión de ruptura colector-base (VCEO) de 60V y una corriente continua máxima del colector (IC) de 1A. Se caracteriza por su alta ganancia de corriente y su capacidad para operar a altas frecuencias, lo que lo hace ideal para aplicaciones de conmutación y amplificación.
| Peso | 0.024 kg |
|---|---|
| Cdigo Siigo | 0090005000145 |
| Referencia | BD137 |
| Marca | ASI |
| Empaque | TO-126 |
