BDX67C: Transistor Darlington NPN Epitaxial Base Power 120V 20A
Brand: Advanced SemiconductorBrand: Philips Categorías: Semiconductores, Transistores y reguladores
SKU:
9-5-143
Etiquetas: 0090005000143, 9-5-143, ASI/PHILIPS, BDX67C, datasheet, NPN, SEMICONDUCTORES, Through Hole, TRANSISTOR DARLINGTON NPN EPITAXIAL BASE POWR, TRANSISTORES Y REGULADORES
Nombre: TRANSISTOR DARLINGTON NPN EPITAXIAL BASE POWERReferencia: BDX67C
- Polaridad del transistor: NPN
- Configuración: Darlington
- Corriente CC máxima de colector: 20 A
- Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 120 V
- Tensión VCBO colector-base: 140 V
- Voltaje VEBO emisor-base: 5V
- Dp – Disipación de potencia: 150 W
- Temperatura de trabajo: desde 0°C hasta 200°C
Marca: ASI/PHILIPSEmpaque: TO-3Precio por: Unidad
$15.700
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TRANSISTOR DARLINGTON NPN EPITAXIAL BASE POWR. Marcas: ASI – PHILIPS. Referencia: BDX67C
El BDX67C es un tipo de transistor de potencia NPN Darlington diseñado para aplicaciones que requieren un alto rendimiento y capacidad de conducción de corriente. Estos transistores son ampliamente utilizados en circuitos de potencia, como amplificadores de audio, controladores de motores y fuentes de alimentación conmutadas.
| Peso | 17 kg |
|---|---|
| Dimensiones | 3.4 × 2.7 × 1.52 cm |
| Cdigo Siigo | 0090005000143 |
| Referencia | BDX67C |
| Marca | ASI/PHILIPS |
| Empaque | TO-3 |














