SPMB50A500: Mosfet Módulo de Potencia 500v 50A
Nombre: IGBT MODULES 500V 50A
Referencia: SPMB50A500
- Tipo de FET: MOSFET
- Configuración: Medio puente (half-bridge)
- Pd – Máxima disipación de potencia: 300 W (por transistor)
- |Vds| – Voltaje máximo drenador – fuente: 500 V
- |Vgs| – Voltaje máximo fuente – puerta: +/-20 V
- |Id| – Corriente operativa de drenaje: 50 A (pulsos Idm: 200A)
- Tj – Temperatura máxima de unión: 150 °C
- |Visol| – Voltaje de aislamiento (RMS): 2500V
Marca: SILICONIX INCORPORATED (Ahora Vishay)
Empaque: MODULE, Módulo industrial estándar (montaje en chasis/disipador)
Precio por: Unidad
$11.600
21 disponibles
MOSFET MODULO DE POTENCIA 500V 50A. Marca: SILICONIX INCORPORATED. Referencia: SPMB50A500
El SPMB50A500 es un módulo de potencia MOSFET diseñado para aplicaciones de alta tensión y corriente, con características que lo hacen adecuado para circuitos de media y alta potencia.
Características principales:
- Circuito de medio puente (Half-bridge)
- Diodo intrínseco rápido (270 ns)
- Capacidad para soportar cortocircuitos por tiempo limitado
- Paquete plástico aislado
- Muy baja resistencia en estado de conducción (On-Resistance)
- Operación a alta frecuencia (> 20 kHz)
Aplicaciones típicas:
- Fuentes de alimentación ininterrumpidas (UPS)
- Potencia conmutada (Switch-mode power)
- Control de motores
- Inversores para soldadura por arco
- Calentamiento por inducción
| Peso | 0.220 kg |
|---|---|
| Dimensiones | 9.5 × 3.5 × 3.5 cm |
| Cdigo Siigo | 0090009000005 |
| Referencia | SPMB50A500 |
| Marca | SILICONIX INCORPORATED |
| Empaque | MODULE |
