MDD312-12N1: Modulo Semiconductor Discreto 310 Amp 1200v

Nombre: MODULO SEMICONDUCTOR DISCRETO 312 AMP 1200V

MDD312-12N1 Módulo de Doble diodo

Referencia: MDD312-12N1

  • Corriente de avance media máxima admisible IFAV:  310 A @100ºC (T carcasa)
  • Voltaje inverso pulso repetitivo VRRM: 1200 V
  • Corriente de choque IFSM: 10800 A
  • Voltaje de umbral VT(TO): 0.80 V
  • Corriente RMS IRMS: 600 A
  • Resistencia de la pendiente rT: 0.60 mΩ
  • Temperatura de unión Tvj max: 150 ºC
  • Resistencia térmica, unión a la carcasa Rth(JC): 0.12 K/W
  • Resistencia térmica entre la carcasa y el disipador Rth(CH): 0.04 K/W
  • Diseño (interruptores): doble componente
  • Configuración: diodo-diodo
  • Peso: 710 g

Marca: IXYS (Little Fuse)

Empaque: Y1-CU

Precio por: Unidad

$1.385.250

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