TRANSISTOR RF MODULO. Marca: NXP SEMICONDUCTORS. Referencia: MRFE6VP61K25H

Transistores LDMOS de potencia de RF
MOSFET laterales de canal N de alta robustez

Estos dispositivos de alta robustez están diseñados para su uso en aplicaciones industriales de alta ROE (incluidos excitadores láser y de plasma), radiodifusión (analógica y digital), aeroespacial y radio/móviles terrestres. Ofrecen diseños de entrada y salida inigualables que permiten el uso de un amplio rango de frecuencias, entre 1,8 y 600 MHz.

• Rendimiento típico: VDD = 50 voltios, IDQ = 100 mA

Características
• Entrada y salida inigualables que permiten un amplio rango de frecuencias
• El dispositivo puede utilizarse en configuración de un solo extremo o en contrafase
• Apto para un funcionamiento con un máximo de 50 VDD
• Caracterizado de 30 V a 50 V para un rango de potencia extendido
• Apto para aplicaciones lineales con polarización adecuada
• Protección ESD integrada con mayor rango de voltaje negativo de puerta-fuente
para un funcionamiento mejorado en clase C
• Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalentes en serie
• En cinta y carrete. Sufijo R6 = 150 unidades, ancho de cinta de 56 mm, carrete de 13 pulgadas.
Sufijo R5 = 50 unidades, ancho de cinta de 56 mm, carrete de 13 pulgadas.