TRANSISTOR PNP EPITAXIAL SILICON. Marca: ASI. Referencia: BD138
Nombre: TRANSISTOR PNP EPITAXIAL SILICONComplemento del BD137Referencia: BD138 Polaridad del transistor: PNP Configuración: Single Corriente CC máxima de colector: 1A Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 60V Tensión VCBO colector-base: 60V Voltaje VEBO emisor-base: 5V Voltaje de saturación colector-emisor: 500mV Dp - Disipación de potencia: 1.25W Ganancia de corriente continua (hFE): de 40 a 160. Temperatura de trabajo: desde 0°C hasta 150°C Marca: ASIEmpaque: TO-126Precio por: Unidad
TRANSISTOR PNP EPITAXIAL SILICON. Marca: ASI. Referencia: BD138
BD140 BD138 BD136 SERIES

BD138: Transistor PNP Epitaxial Silicon 60V 1A

Brand: Advanced Semiconductor Categorías: , SKU: 9-5-163 Etiquetas: , , , , , , , ,

Nombre: TRANSISTOR PNP EPITAXIAL SILICONComplemento del BD137Referencia: BD138

  • Polaridad del transistor: PNP
  • Configuración: Single
  • Corriente CC máxima de colector: 1A
  • Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 60V
  • Tensión VCBO colector-base: 60V
  • Voltaje VEBO emisor-base: 5V
  • Voltaje de saturación colector-emisor: 500mV
  • Dp – Disipación de potencia: 1.25W
  • Ganancia de corriente continua (hFE): de 40 a 160.
  • Temperatura de trabajo: desde 0°C hasta 150°C

Marca: ASIEmpaque: TO-126Precio por: Unidad

$2.150

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