TRANSISTOR PNP EPITAXIAL SILICON. Marca: STMICROELECTRONICS. Referencia: BD434
Nombre: TRANSISTOR PNP EPITAXIAL SILICONReferencia: BD434 Polaridad del transistor: PNP Configuración: Single Corriente CC máxima de colector: 4A Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 22V Tensión VCBO colector-base: 22V Voltaje VEBO emisor-base: 5V Voltaje de saturación colector-emisor: 200mV Dp - Disipación de potencia: 36W Producto para ganar Ancho de banda fT: 3 MHz Temperatura de trabajo: desde 0°C hasta 150°C Marca: STMICROELECTRONICSEmpaque: TO-126Precio por: Unidad
TRANSISTOR PNP EPITAXIAL SILICON. Marca: STMICROELECTRONICS. Referencia: BD434
BD434 BD435 BD436 BD437 BD438

BD434: Transistor PNP Epitaxial Silicon 22V 4A

Brand: STMICROELECTRONICS Categorías: , SKU: 9-5-164 Etiquetas: , , , , , , , , ,

Nombre: TRANSISTOR PNP EPITAXIAL SILICONReferencia: BD434

  • Polaridad del transistor: PNP
  • Configuración: Single
  • Corriente CC máxima de colector: 4A
  • Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 22V
  • Tensión VCBO colector-base: 22V
  • Voltaje VEBO emisor-base: 5V
  • Voltaje de saturación colector-emisor: 200mV
  • Dp – Disipación de potencia: 36W
  • Producto para ganar Ancho de banda fT: 3 MHz
  • Temperatura de trabajo: desde 0°C hasta 150°C

Marca: STMICROELECTRONICSEmpaque: TO-126Precio por: Unidad

$2.150

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