TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON. Marca: ASI. Referencia: BD137
TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON. Marca: ASI. Referencia: BD137

BD137: Transistor NPN Epitaxial Silicon 60V 1A

Brand: Advanced Semiconductor Categorías: , SKU: 9-5-145 Etiquetas: , , , , , , , , ,

Nombre: TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICONReferencia: BD137

  • Polaridad del transistor: NPN
  • Configuración: Single
  • Corriente CC máxima de colector: 1A
  • Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 60V
  • Tensión VCBO colector-base: 60V
  • Voltaje VEBO emisor-base: 5V
  • Voltaje de saturación colector-emisor: 0.5V
  • Dp – Disipación de potencia: 12W
  • Producto para ganar Ancho de banda fT: 50 MHz
  • Temperatura de trabajo: desde 0°C hasta 150°C

Marca: ASIEmpaque: TO-126Precio por: Unidad

$2.200

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