BLV33: Transistor Rf Npn Silicon Power
Nombre: TRANSISTOR RF NPN SILICON POWERTransistor de potencia lineal VHFReferencia: BLV33
- Tipo: Transistor epitaxial planar de silicio NPN
- Voltaje colector-emisor (VCESM): 65 voltios (cuando VBE = 0V).
- Voltaje colector-emisor (VCEO): 33 voltios (con base abierta).
- Voltaje emisor-base (VBEBO): 4 voltios (con colector abierto).
- Corriente de colector (IC): 12.5 amperios.
- Corriente de colector promedio (IC(AV)): 12.5 amperios.
- Corriente de pico de colector (ICM): 20 amperios (a frecuencias superiores a 1 MHz).
- Disipación total de potencia (PT): 132 W (a una temperatura ambiente de 25°C).
- Disipación de potencia de RF (PRF): 165 W (a frecuencias superiores a 1 MHz y temperatura ambiente de 25°C).
- Temperatura de almacenamiento (TSTG): Entre -65°C y +150°C.
- Temperatura de unión en funcionamiento (TJ): Máximo 200°C.
Marca: PHILIPSEmpaque: .5 4L STUDPrecio por: Unidad
$120.700
2 disponibles
TRANSISTOR RF NPN SILICON POWER. Marca: PHILIPS. Referencia: BLV33
Transistor epitaxial planar de silicio NPN encapsulado en un encapsulado SOT147 de 1/16″ con 4 conductores y tapa de cerámica.
Todos los conductores están aislados del perno.
| Peso | 0.012 kg |
|---|---|
| Cdigo Siigo | 0090011000016 |
| Referencia | BLV33 |
| Marca | PHILIPS |
| Empaque | .5 4L STUD |
