TRANSISTOR NPN SILICON DIFFUSED MESA. Marca: ASI. Referencia: BDY58R
Nombre: TRANSISTOR NPN SILICON DIFFUSED MESATRANSISTOR NPN DE SILICIO (TECNOLOGÍA MESA)Referencia: BDY58R Polaridad del transistor: NPN Configuración: Single Corriente CC máxima de colector: 25A Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 125V Tensión VCBO colector-base: 160V Voltaje VEBO emisor-base: 10V Voltaje de saturación colector-emisor: 0.5V Dp - Disipación de potencia: 175W Producto para ganar Ancho de banda fT: 30 MHz Temperatura de trabajo: desde -65°C hasta 200°C Marca: ASIEmpaque: TO-3Precio por: Unidad
TRANSISTOR NPN SILICON DIFFUSED MESA. Marca: ASI. Referencia: BDY58R
BDY58R

BDY58R: Transistor Npn Silicon Diffused Mesa 125V 25A

Brand: Advanced Semiconductor Categorías: , SKU: 9-5-159 Etiquetas: , , , , , , , , ,

Nombre: TRANSISTOR NPN SILICON DIFFUSED MESATRANSISTOR NPN DE SILICIO (TECNOLOGÍA MESA)Referencia: BDY58R

  • Polaridad del transistor: NPN
  • Configuración: Single
  • Corriente CC máxima de colector: 25A
  • Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 125V
  • Tensión VCBO colector-base: 160V
  • Voltaje VEBO emisor-base: 10V
  • Voltaje de saturación colector-emisor: 0.5V
  • Dp – Disipación de potencia: 175W
  • Producto para ganar Ancho de banda fT: 30 MHz
  • Temperatura de trabajo: desde -65°C hasta 200°C

Marca: ASIEmpaque: TO-3Precio por: Unidad

$1.900

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