ON4402H-6G: Mosfet RF Gain 6
Nombre: MOSFET RF GAIN 6Referencia: ON4402H-6G
- Voltajes Máx:
- Vgate-source:20V.
- Vdrain-source:110V
- Corriente drain: 9A
- Ganancia: 6
Marca: NXPEmpaque: .28 4L STUDPrecio por: Unidad
MOSFET RF GAIN 6 PHILIPPINES Referencia: ON4402H-6G
El transistor ON4402H es un componente electrónico semiconductor de tipo NPN, diseñado específicamente para aplicaciones de radiofrecuencia (RF). Su estructura interna y características lo hacen ideal para amplificar señales de alta frecuencia con baja distorsión y alta eficiencia.
| Peso | 0.001 kg |
|---|---|
| Cdigo Siigo | 0090011000039 |
| Referencia | ON4402H-6G |
| Marca | NXP SEMICONDUCTORS |
| Empaque | .28 4L STUD |
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