ON4402H-4G: Mosfet RF Gain 4 - Vicartechz

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MOSFET RF GAIN 4 PHILIPPINES Referencia: ON4402H-4G

Nombre: MOSFET RF GAIN 4Referencia: ON4402H-4G Voltajes Máx: Vgate-source:20V. Vdrain-source:110V Corriente drain: 9A Ganancia: 4 Marca: PHILIPSEmpaque: .28 4L STUDPrecio por: Unidad

ON4402H-4G: Mosfet RF Gain 4

Brand: Philips Categorías: Semiconductores, RF Transistores y Mosfets SKU: 9-11-37 Etiquetas: 0090011000037, 9-11-37, datasheet, MOSFET RF GAIN 4, ON4402H-4G, PHILIPS, pinout, RF TRANSISTORES Y MOSFETS, SEMICONDUCTORES, SMD

Nombre: MOSFET RF GAIN 4Referencia: ON4402H-4G

Voltajes Máx:
- Vgate-source:20V.
- Vdrain-source:110V
Corriente drain: 9A
Ganancia: 4

Marca: PHILIPSEmpaque: .28 4L STUDPrecio por: Unidad

MOSFET RF GAIN 4 PHILIPPINES Referencia: ON4402H-4G

El transistor ON4402H es un componente electrónico semiconductor de tipo NPN, diseñado específicamente para aplicaciones de radiofrecuencia (RF). Su estructura interna y características lo hacen ideal para amplificar señales de alta frecuencia con baja distorsión y alta eficiencia.

Especificaciones

Peso	0.001 kg
Cdigo Siigo	0090011000037
Referencia	ON4402H-4G
Marca	PHILIPS
Empaque	.28 4L STUD

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