ON4402H-4G: Mosfet RF Gain 4
Brand: Philips Categorías: RF Transistores y Mosfets, Semiconductores
SKU:
9-11-37
Etiquetas: 0090011000037, 9-11-37, datasheet, MOSFET RF GAIN 4, ON4402H-4G, PHILIPS, pinout, RF TRANSISTORES Y MOSFETS, SEMICONDUCTORES, SMD
Nombre: MOSFET RF GAIN 4Referencia: ON4402H-4G
- Voltajes Máx:
- Vgate-source:20V.
- Vdrain-source:110V
- Corriente drain: 9A
- Ganancia: 4
Marca: PHILIPSEmpaque: .28 4L STUDPrecio por: Unidad
MOSFET RF GAIN 4 PHILIPPINES Referencia: ON4402H-4G
El transistor ON4402H es un componente electrónico semiconductor de tipo NPN, diseñado específicamente para aplicaciones de radiofrecuencia (RF). Su estructura interna y características lo hacen ideal para amplificar señales de alta frecuencia con baja distorsión y alta eficiencia.
| Cdigo Siigo | 0090011000037 |
|---|---|
| Referencia | ON4402H-4G |
| Marca | PHILIPS |
| Empaque | .28 4L STUD |















