ON4402H-3G: Mosfet RF Gain 3
Brand: Philips Categorías: RF Transistores y Mosfets, Semiconductores
SKU:
9-11-54
Etiquetas: 0090011000054, 9-11-54, datasheet, MOSFET RF GAIN 3, ON4402H-3G, PHILIPS, PHILLIPS, pinout, RF TRANSISTORES Y MOSFETS, SEMICONDUCTORES, SMD
Nombre: MOSFET RF GAIN 3Referencia: ON4402H-3G
- Voltajes Máx:
- Vgate-source:20V.
- Vdrain-source:110V
- Corriente drain: 9A
- Ganancia: 3
Marca: PHILIPS
Empaque: .28 4L STUD
Precio por: Unidad
$641.200
2 disponibles
MOSFET RF GAIN 3. Marca: PHILLIPS. Referencia: ON4402H-3G
El transistor ON4402H es un componente electrónico semiconductor de tipo NPN, diseñado específicamente para aplicaciones de radiofrecuencia (RF). Su estructura interna y características lo hacen ideal para amplificar señales de alta frecuencia con baja distorsión y alta eficiencia.
| Peso | 0.003 kg |
|---|---|
| Cdigo Siigo | 0090011000054 |
| Referencia | ON4402H-3G |
| Marca | PHILIPS |
| Empaque | .28 4L STUD |


















