BF965: Mosfet N-Ch Dual Gate Field Effect Tetrode Depletion mode
Nombre: MOSFET N-CH DUAL GATE FIELD EFFECT TETRODE DEPLETION MODETetrodo de efecto de campo MOS de doble puerta de canal N, modo de agotamientoReferencia: BF965
- Tipo de transistor: MOSFET
- Tipo de canal de control: canal N
- Disipación máxima de potencia: 0,2 W
- Voltaje máximo drenaje-fuente |Vds|: 20 V
- Voltaje máximo puerta-fuente |Vgs|: 8,5 V
- Corriente máxima de drenaje |Id|: 0,03 A
- Temperatura máxima de unión Tj: 150 °C
- Capacitancia de salida: 1 pF
- Resistencia máxima en estado activo de la fuente de drenaje Rds: 200 ohmios
Marca: VISHAY SEMICONDUCTORSEmpaque: SOT-13Precio por: Unidad
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MOSFET N-CH DUAL GATE FIELD EFFECT TETRODE DEPLETION MODE VISHAY SEMICONDUCTORS Referencia: BF965
El BF965 es un transistor MOSFET de canal N de doble puerta. Esto significa que tiene dos compuertas que permiten un control más preciso sobre la corriente que fluye a través del dispositivo. Esta característica lo hace especialmente útil en aplicaciones de alta frecuencia, como amplificadores de radiofrecuencia (RF).
| Peso | 0.001 kg |
|---|---|
| Cdigo Siigo | 0090011000005 |
| Referencia | BF965 |
| Marca | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| Empaque | SOT-13 |
