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IRF820A: Mosfet N-Ch 500V 50W 2.5A
Nombre: MOSFET N-CH 500V 50W 2.5AReferencia: IRF820A
- Tipo de FET: MOSFET
- Polaridad de transistor: N
- Pd – Máxima disipación de potencia: 50 W
- |Vds| – Voltaje máximo drenador – fuente: 500 V
- |Vgs| – Voltaje máximo fuente – puerta: 30 V
- |Id| – Corriente continua de drenaje: 2.5 A
- Tj – Temperatura máxima de unión: 150 °C
- Rds(on) – Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3Ohm
Marca: IREmpaque: TO-220Precio por: Unidad
$1.850
40 disponibles
MOSFET N-CH 500V 2.5W 2.5A. Marca: IR. Referencia: IRF820A
El IRF820A es un MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alta tensión. Se caracteriza por su baja resistencia en estado encendido y su capacidad para manejar corrientes moderadas, lo que lo hace adecuado para una variedad de aplicaciones.
| Peso | 0.002 kg |
|---|---|
| Cdigo Siigo | 0090010000013 |
| Referencia | IRF820A |
| Marca | IR |
| Empaque | TO-220 |
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