IRFD120PBF: Mosfet N-Ch 100V 1.3A Dip-4
Nombre: MOSFET N-CH 100V 1.3A DIP-4Referencia: IRFD120PBF
- Tipo de FET: MOSFET
- Polaridad de transistor: N
- Pd – Máxima disipación de potencia: 1.3 W
- |Vds| – Voltaje máximo drenador – fuente: 100 V
- |Vgs| – Voltaje máximo fuente – puerta: 20 V
- |Id| – Corriente continua de drenaje: 1.3 A
- Tj – Temperatura máxima de unión: 175 °C
- Rds(on) – Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
Marca: IREmpaque: HD-1Precio por: Unidad
$12.900
2 disponibles
MOSFET N-CH 100V 1.3A DIP-4. Marca: IR. Referencia: IRFD120PBF
El IRFD120PBF es un MOSFET de canal N de potencia, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y baja resistencia en estado encendido, ofreciendo eficiencia y capacidad de manejo de corriente en un encapsulado DIP de 4 pines.
| Peso | 0.001 kg |
|---|---|
| Cdigo Siigo | 0090010000010 |
| Referencia | IRFD120PBF |
| Marca | IR |
| Empaque | HD-1 |
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