BDY58R: Transistor Npn Silicon Diffused Mesa 125V 25A
Brand: Advanced Semiconductor Categorías: Semiconductores, Transistores y reguladores
SKU:
9-5-159
Etiquetas: 0090005000159, 9-5-159, ASI, BDY58R, datasheet, pinout, SEMICONDUCTORES, Through Hole, TRANSISTOR NPN SILICON DIFFUSED MESA, TRANSISTORES Y REGULADORES
Nombre: TRANSISTOR NPN SILICON DIFFUSED MESATRANSISTOR NPN DE SILICIO (TECNOLOGÍA MESA)Referencia: BDY58R
- Polaridad del transistor: NPN
- Configuración: Single
- Corriente CC máxima de colector: 25A
- Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 125V
- Tensión VCBO colector-base: 160V
- Voltaje VEBO emisor-base: 10V
- Voltaje de saturación colector-emisor: 0.5V
- Dp – Disipación de potencia: 175W
- Producto para ganar Ancho de banda fT: 30 MHz
- Temperatura de trabajo: desde -65°C hasta 200°C
Marca: ASIEmpaque: TO-3Precio por: Unidad
$1.900
14 disponibles
TRANSISTOR NPN SILICON DIFFUSED MESA. Marca: ASI. Referencia: BDY58R
El BDY58R es un transistor de unión bipolar (BJT) NPN de alta potencia diseñado para aplicaciones que requieren alta corriente y voltaje. Se utiliza comúnmente en fuentes de alimentación, amplificadores de audio y circuitos de conmutación.
| Peso | 0.012 kg |
|---|---|
| Dimensiones | 3.4 × 2.7 × 1.52 cm |
| Cdigo Siigo | 0090005000159 |
| Referencia | BDY58R |
| Marca | ASI |
| Empaque | TO-3 |
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